隨著智能手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及，歐、美、日、韓等發(fā)達(dá)國(guó)家，對(duì)充電器產(chǎn)品安全性、安規(guī)有特別要求，充電器或電源產(chǎn)品不能存在有安全隱患，不管任何情況下發(fā)生的異常，導(dǎo)致充電器或電源產(chǎn)品熔殼事件或發(fā)生火災(zāi)事故，均采取零容忍的法規(guī)。
一、描述內(nèi)容：
早期大部份電源產(chǎn)品屬于小功率（3W以下）整機(jī)體積較大,均選用膜式電阻器，充電時(shí)間較長(zhǎng)，隨著都市人生活節(jié)奏加快，產(chǎn)品需要體積小、功率大、充電快等高端電源產(chǎn)品，故3W以下的電源產(chǎn)品被市場(chǎng)淘汰。
大部份電源工廠，均選用普通繞線保險(xiǎn)絲電阻器(R1)起脈沖作用，產(chǎn)品一直追求強(qiáng)雷擊、高脈沖等特性，而多數(shù)電阻工廠按國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB9364.4-2006-IEC 60127- 41996 小型熔斷器第4部分 通用模件熔斷體》，依據(jù)5倍額定電流60S熔斷等參數(shù)來設(shè)計(jì)保險(xiǎn)絲電阻器。例 如：選用普通（R1） 1WS 10R J，按照歐姆公式計(jì)算=1.58A為熔斷電流，時(shí)間60S內(nèi)熔斷，該R1正常工作電流316mA，經(jīng)模擬實(shí)驗(yàn)得出結(jié)果，充電器內(nèi)部的被動(dòng)元器件發(fā)生異常，一般漏電約600mA~1A左右，導(dǎo)致R1處于超負(fù)荷工作狀態(tài)，最后把充電器的外殼烤變形或熔穿外殼，嚴(yán)重則發(fā)生火災(zāi)事故。
二、導(dǎo)致電源外殼熔殼的主要原因：
①. 整機(jī)使用的環(huán)境比較惡劣。
②. 整機(jī)選用被動(dòng)元器件質(zhì)量不穩(wěn)定。
③. 沒有選用低熔斷電流和強(qiáng)雷擊的特性R1。
三、各知名品牌手機(jī)廠商對(duì)3.5W~7.5W充電器使用半短路電阻器的參數(shù)僅供參考:
①. 三星公司于2008年制定半短路電阻器要求:
FRKNP 1WS 12R J PT，半短路參數(shù)為142V，負(fù)載250R,60S內(nèi)熔斷，不能出現(xiàn)熔殼，振鈴波6KV。
②. OPPO、VIVO公司于2012年制定半短路電阻器要求：
FRKNP 1WS 12R J PT，半短路參數(shù)為130V，負(fù)載250R,60S內(nèi)熔斷，不能出現(xiàn)熔殼，差模2.5KV。
FRKNP 1WS 10R J PT，半短路參數(shù)為130V，負(fù)載250R,60S內(nèi)熔斷，不能出現(xiàn)熔殼，差模2.5KV。
③. 華為公司于2015年制定半短路電阻器要求：
FRKNP 1WS 10R J PT，半短路參數(shù)為5V逐步加壓，負(fù)載100R直到熔斷為止，不可以出現(xiàn)外殼變形更不能出現(xiàn)熔殼, 單體雷擊 1.2KV。
FRKNP 1WS 10R J PT，半短路參數(shù)為2V逐步加壓，負(fù)載100R直到熔斷為止，不可以出現(xiàn)外殼變形更不能出現(xiàn)熔殼, 單體雷擊 1.2KV。
四、公司于2014年推出過溫保護(hù)型繞線保險(xiǎn)絲電阻器（OTP）系列。
OTP電阻器的優(yōu)點(diǎn)：
①. OTP其它系列溫度范圍125℃ ~ 223℃。
②. R1表面溫度超過規(guī)定值，電阻器即自動(dòng)失效，起保護(hù)作用。
③. 電阻式 OTP外形與普通電阻基本相似，防抄襲。
④. 電阻式OTP溫度范圍223℃（-10℃~0℃）。
⑤. 電阻式OTP可以設(shè)計(jì)無感電阻。
⑥. 可依據(jù)客戶要求特別訂制
